Micron Technology
IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA (MT49H32M18CSJ-25E IT:B)
Part Number: MT49H32M18CSJ-25E IT:B
Documents / Media: datasheets MT49H32M18CSJ-25E IT:B
Технические характеристики:
- Упаковка: Bulk
- Серия: -
- Состояние детали: Obsolete
- Тип памяти: Volatile
- Тип памяти: DRAM
- Технология: DRAM
- Объем памяти: 576Mb (32M x 18)
- Скорость: 400MHz
- Write Cycle Time - Word, Page: -
- Время доступа: 15ns
- Memory Interface: Parallel
- Напряжение питания: 1.7 V ~ 1.9 V
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 144-TFBGA
- Исполнение корпуса: 144-FBGA (18.5x11)
Цена по запросу